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#第三代半導體材料 的碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN),與第一代半導體材料的矽(Si)、第二代半導...

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#第三代半導體材料 的碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN),與第一代半導體材料的矽(Si)、第二代半導體材料的砷化鎵(GaAs)相比,有著尺寸小、效率高、散熱迅速等特性。
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工研院產業學院,邁進2030關鍵科技無界限 因應遠距與在地,全新推出五大領域關鍵學習網, 以工研院科技寶山為基底,Taiwan Tech Great Again.
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